最新一(yī)項研究發現(xiàn)，電(εσ↔diàn)流刺激大(dà)腦(nǎo)可' (kě)以提高(gāo)記憶力，大(dà)腦(nǎo)某£©β$一(yī)部位接受刺激後，研究參與者的(de)記憶力←φ€顯著提高(gāo)15.4%。
新浪科(kē)技(jì)訊 北(běi)京時(shí©λ)間(jiān)7月(yuè)12日(rì)消 >息，據美(měi)國(guó)生(shēng)β'<活科(kē)學網站(zhàn)報(bào)道(dào)，當你(nǐ)在雜(z'★₹÷á)貨店(diàn)試圖回憶之前喝(hē)過的(de)牛奶，或者到 ×(dào)處尋找你(nǐ)的(de)手機(jī)放(fàng)在哪時(s↓λhí)，記憶變得(de)模糊是(shì)不±φ(bù)是(shì)讓你(nǐ)感到(dào)挫敗和(hé)沮喪？目前™£β，最新一(yī)項研究發現(xiàn)，電(diàn)<φ流刺激大(dà)腦(nǎo)可(kě)以提≥✘₹高(gāo)記憶力，大(dà)腦(nǎo)某一(yī)部位接受刺激₹™後，研究參與者的(de)記憶力顯著提高(gāo)×Ω☆<15.4%。
一(yī)個(gè)研究小(xiǎo)組對(duì)72名參與者≠≤×進行(xíng)連續兩天的(de)測試，第一δ↑♠←(yī)天，研究人(rén)員(yuán)向參與者展示了(le)80個(g&α↔è)不(bù)同的(de)單詞，并要(yào)求他(t→♠↕ā)們根據上(shàng)下(xià)文(wén)進行(xín↓¥₽g)記憶。例如(rú)：如(rú)果其中一(yī)個(gè)詞是(shì)&lδ₹☆∞dquo;蛋糕”，參與者被要('★yào)求想象自(zì)己或者其他(tā)人(rén)的(de)蛋糕聚₩♣₽餐，并形成昨天在陽台吃(chī)蛋糕的(de)情景記憶。
第二天，參與者測試他(tā)們的(de)記憶力、推>₩φ理(lǐ)能(néng)力和(hé)感知(z<© hī)能(néng)力，在這(zhè)些(xiē)評≠©估中，他(tā)們被要(yào)求回憶前•>™'一(yī)天是(shì)否看(kàn)到&"(dào)某些(xiē)單詞，并将這(zhè)些(xiē)單詞和(hé♠λ★)其他(tā)任務進行(xíng)分(fēn)類。
與此同時(shí)，他(tā)們的(de)身(s≥☆&hēn)體(tǐ)與兩個(gè)電(diàn)極和(hé)1個∑Ω₹γ(gè)9伏電(diàn)池相(xiàng)連，電 &α♥(diàn)極對(duì)他(tā)們的(de)大(dà)腦(nǎo)進行€£σ¥(xíng)不(bù)到(dào)1分(fēn)鐘(zhōng)的(d₽♦e)電(diàn)擊。接下(xià)來(lái)他(tā)們沒有•α®(yǒu)被電(diàn)擊，這(zhè)種叫做↑∑∑λ(zuò)“模拟刺激&rdq ÷uo;的(de)裝置是(shì)為(wèi)了(l♥σe)向測試者暗(àn)示當他(tā)們被電(diàn)擊時(shí)已♣★♥習(xí)慣了(le)這(zhè)種刺激。
之後測試者被分(fēn)為(wèi)三組：第一(yī)組接受額外(wài)•§←的(de)大(dà)腦(nǎo)電(diàn)擊，從(cóng)®↕↔而增加前額葉皮層某一(yī)特定區(qū)域的(de)活動，該區β←(qū)域在情景記憶中非常重要(yào)；第二組接受&ld ✘quo;反向電(diàn)流（通(tōng)過改變電(diàn)極★≥極性而實現(xiàn)）”，之前研究表明(míng)，>®¶這(zhè)種電(diàn)流要(yào)麽降低(dī)腦(nǎo)細胞 π™α活躍性，要(yào)麽不(bù)會(huì)₹₽≈₽起任何作(zuò)用(yòng)；第三組繼續接受假刺激。
[他(tā)們的(de)身(shēn)體(tǐ)與兩個(gè)電(diàn∏<↓)極和(hé)1個(gè)9伏電(diàn)池相(xiàng)連，電(dià €≤n)極對(duì)他(tā)們的(de)大(dà)腦(nǎo)進行(x$₽íng)不(bù)到(dào)1分(fēn)鐘(zhōng)的(de)電(di≥↓àn)擊。接下(xià)來(lái)他(tā)們沒±≥有(yǒu)被電(diàn)擊，這(zhè)種叫做(zuò≠€∏σ)“模拟刺激”的(↕÷> de)裝置是(shì)為(wèi)了(le)向測試者暗(àn↑φ®≥)示當他(tā)們被電(diàn)擊時(shí)已習(xí)慣了(le)這($×λzhè)種刺激。] 他(tā)們的(de)身(shēn)體(tǐ)與¶×兩個(gè)電(diàn)極和(hé)1個(gè)9伏電(diàn)池相 ♠ ¥(xiàng)連，電(diàn)極對(du¶•ì)他(tā)們的(de)大(dà)腦(nǎo)進行(xíng₩λ')不(bù)到(dào)1分(fēn)鐘(zhōng)的(d•₽e)電(diàn)擊。接下(xià)來(lái)他(tσ§♠≈ā)們沒有(yǒu)被電(diàn)擊，&'↓>這(zhè)種叫做(zuò)“模拟刺激&rd ♣±quo;的(de)裝置是(shì)為(wèi)了(le)向測✘≠σ≠試者暗(àn)示當他(tā)們被電(diàn)擊時(shí)已習(≥∞ xí)慣了(le)這(zhè)種刺激。
盡管測試者接受電(diàn)擊後在推理(lǐ)和(hé∞®)感知(zhī)方面沒有(yǒu)任何改善，但(dàn)接受真實電(♣♣diàn)流的(de)測試者在記憶測試中比之α$'®前得(de)分(fēn)高(gāo)15.∞∑<4%，同時(shí)，研究人(rén)員↑&±(yuán)發現(xiàn)接受反向電(diàn)流或者假刺激的(de)測試₽§←組在推理(lǐ)和(hé)感知(zhī)方面沒有(yǒuπ÷↑σ)任何顯著改善。
但(dàn)是(shì)這(zhè)項研究也(yě)存在一(yī)個(gè)&€局限，盡管這(zhè)些(xiē)脈沖刺激是(shì)針對(∏₩duì)大(dà)腦(nǎo)一(yī)個(gè)非常特定的(de)§♥♣區(qū)域，但(dàn)是(shì)研究人(rén)員(yαγuán)不(bù)能(néng)确定脈沖是(shππì)否也(yě)會(huì)影(yǐng)響其他(tā)區(π≈∏qū)域。
這(zhè)是(shì)第一(yī)次研究測試當某人(rén÷₽)試圖回憶一(yī)段記憶時(shí)，如(rú)果施加電(diβγσ$àn)刺激将會(huì)發生(shēng)什(shén)麽β≥。但(dàn)除此之外(wài)，刺激大(dà)腦(nǎo)提高(gāo&→)記憶力并不(bù)是(shì)什(shén)麽新鮮事(∏δ★shì)，例如(rú)：2018年(nián)，美(měi)國(™✔δδguó)國(guó)防高(gāo)級研究計(jì♣¥'λ)劃署（DARPA）的(de)一(yī)項研究表明γ₹(míng)，對(duì)進入睡(shuì≠✘±δ)眠狀态的(de)人(rén)們電(diàn)擊大(dà)腦(nǎo)，α可(kě)以增強另一(yī)種記憶能(néng)力，即&ld✔§£☆quo;泛化(huà)記憶”。
但(dàn)是(shì)包括最新研究在內(nèi)的(de)大±≠&(dà)腦(nǎo)刺激研究都(dōu)處于非常初級階段，在現(xiàn)實生→≠≤♣(shēng)活中，其應用(yòng)範圍非常局限，除非人(ré∑✔ n)們頭部綁部這(zhè)個(gè)裝置四處走動，否則®✔÷它不(bù)會(huì)很(hěn)實用(yòng)。雖然這(zhè)些<←(xiē)初步結果令人(rén)鼓舞(w₩♠ǔ)，但(dàn)科(kē)學家(jiā)下(xià)步想進行(xíng¶☆↕≠)更多(duō)的(de)實驗，從(cóng)而了('φ≠le)解電(diàn)擊大(dà)腦(nǎo)對(duì)模糊記憶産生(shΩ÷ēng)的(de)益處，研究人(rén)員(yuán)希望更↑≥好(hǎo)地(dì)掌握怎樣的(de)記憶最容易被這(zhè)λπ♥©種類型的(de)大(dà)腦(nǎo)刺激所影(yǐng)響。